سامسونج الكترونيكس تبدأ إنتاج أول ذاكرة V-NAND ثلاثية الأبعاد بسعة 256 جيجابايت

بيان صحفي

تاريخ النشر: 06 سبتمبر 2015 - 05:45 GMT

رقائق V-NAND 48 V-NAND

أعلنت سامسونج الكترونيكس، الرائدة عالمياً في مجال تكنولوجيا الذاكرة المتقدمة، عن بدأها بتصنيع أول وحدة ذاكرة V-NANDثلاثية الأبعاد في هذه الصناعة بسعة 256 جيجابايتوهي مبنية على 48 طبقة منمصفوفات خلايا 3 بت متعددة المستويات (MLC) للاستخدام في الأقراص الصلبة الثابتة(SSDs).

قال السيد يونج هان يون، رئيس أعمال الذاكرة في سامسونج الكترونيكس: "بدخول الجيل الثالث من وحدات الذاكرة V-NAND في الأسواق العالمية يمكننا الآن تزويد أفضل حلول الذاكرة المتقدمة بالإضافة إلى فعالية أفضل بناءً على الأداء المحسّن، الطاقة المستخدمة والتصنيع المحسن، وبالتالي تسريع نمو أسواق الأقراص الصلبة الثابتة ذات الأداء والكثافة العالية،" و أتبع حديثه قائلاً:" بالاستفادة الكاملة من ميزات سامسونج V-NAND الممتازة، سنقوم بتوسيع أعمالنا عالية المستوى في قطاعات المشاريع وسوق مراكز البيانات، بالإضافة إلى سوق المستهلك، مع الاستمرار في تعزيز تركيزنا الاستراتيجي في مجال الأقراص الصلبة الثابتة."

إن ذاكرة سامسونج V-NAND ثلاثية الأبعاد بسعة 256 جيجابايت الجديدة هي ضعف كثافة رقاقات ذاكرة NAND بسعة 128 جيجابايت. بالإضافة إلى تمكين 23 جيجا بايت (من ذاكرة ال 256 جيجابايت) من ذاكرة التخزين على قالب واحد، فإن الرقاقة الجديدة ستضاعف بسهولة من خطوط منتجات سامسونج للأقراص الصلبة الثابتة المتواجدة حالياّ وتوفر حلاّ مثالياً لمحركات الأقراص الصلبة متعددة التيرابايت.

طرحت سامسونج الجيل الثاني من رقائق V-NAND 32 V-NAND طبقة، 3بت متعددة المستويات في آب 2014، وأطلقت الجيل الثالث من رقائق V-NAND 48 V-NAND طبقة، 3بت متعددة المستويات خلال عام واحد فقط ، للاستمرار في قيادة عصر الذاكرة ثلاثية الأبعاد.

في رقاقة V-NANDالجديدة، تستخدم كل خلية بنية CTF ثلاثية الأبعاد، حيث أن مصفوفات الخلية مكدّسة عامودياّ لتشكيل كتلة من 48 طبقة متصلة بالكهرباء من خلال قناة 1.8 مليار ثقب متداخل في المصفوفات بفضل تقنية الحفر الخاصة. في المجموع، كل رقاقة تحتوي على أكثر من 85.3 مليار خلية. ويمكن لكل منها أن تخزن كل 3 بت من البيانات، بناتج 256 مليار بت من البيانات، وبعبارة أخرى، 256جيجابايت على شريحة لا تتعدى حجم طرف الإصبع.

تستهلك رقاقة V-NAND 3 بت ذات ال 48 طبقة وبسعة 256 جيجابت طاقة أقل ب 30 في المائة مقارنةً برقاقة V-NAND 32 طبقة، 3 بت MLC بسعة 128 جيجابت عند تخزين نفس الكمية من البيانات. خلال الإنتاج، تحقق الشريحة الجديدة إنتاجية أكثر بما يقارب 40 في المائة من سابقتها ذات ال 32 طبقة، وبذلك عززت كثيرا ً القدرة التنافسية لسوق SSD، بينما تستخدم أساساً في المعدات الموجودة.

تخطط سامسونج لإنتاج جيل ثالث من V-NAND في الفترة المتبقية من عام 2015، لتمكين استخدام أكبر للأقراص الصلبة الثابتة على مستوى تيرابايت. في حين تقديم الأقراص الصلبة الثابتة ذات الكثافة اثنين تيرابايت وما فوق بالنسبة للمستهلكين الآن، تنوي سامسونج أيضا زيادة مبيعاتها من أجهزة ال SSD ذات الكثافة العالية لأسواق الشركات ومراكز تخزين البيانات مع واجهات PCIe NVMe و SAS الرائدة.

خلفية عامة

سامسونج إلكترونيكس المشرق العربي

تعتبر شركة سامسونج الكترونيكس المحدودة إحدى الشركات الرائدة عالمياً في مجال أشباه الموصلات والاتصالات والوسائط الرقمية وتقنيات المقاربة الرقمية، وخلال العام2011، بلغت مبيعات الشركة الإجمالية في الولايات المتحدة الأمريكية 1ر143 مليار دولار أميركي.تعمل الشركة من خلال 197 مكتباً في 72 دولة وتوظف حوالي 206 آلاف شخص، وتدير الشركة منظمتين مختلفتين لتنسيق تسع وحدات عمل تجارية مستقلة: الإعلام الرقمي والاتصالات، العرض البصري، الاتصالات المتنقلة، أنظمة الاتصالات، الأجهزة المنزلية الرقمية، حلول تقنية المعلومات، والتصوير الرقمي وحلول الأجهزة، التي تتألف من الذاكرة وأنظمة LSI وLCD، ونظراً إلى أدائها الرائد على مستوى القطاع عبر مجموعة من المعايير الاقتصادية والبيئية والاجتماعية، حظيت سامسونج الكترونيكس بجائزة أفضل شركة في العالم من حيث التقنيات المستدامة، وذلك في مؤشر داو جونز 2011 للاستدامة.